A new time-dependent mobility degradation model for MOS transistors
MICROELECTRONICS INTERNATIONAL, cilt.29, sa.3, ss.141-144, 2012 (SCI-Expanded, Scopus)
- Yayın Türü: Makale / Tam Makale
- Cilt numarası: 29 Sayı: 3
- Basım Tarihi: 2012
- Doi Numarası: 10.1108/13565361211252890
- Dergi Adı: MICROELECTRONICS INTERNATIONAL
- Derginin Tarandığı İndeksler: Science Citation Index Expanded (SCI-EXPANDED), Scopus
- Sayfa Sayıları: ss.141-144
- İstanbul Üniversitesi-Cerrahpaşa Adresli: Hayır
Özet
Purpose - The purpose of this paper is to propose a time-dependent mobility degradation model which is independent from the process or operating conditions.