N-kanallı MOS tranzistörlerde taban akımlarının tranzistörün güvenliğine etkisi
Elektrik-Elektronik-Bilgisayar Müh. 10. Ulusal Kongresi, İstanbul, Türkiye, ss.346-349, (Tam Metin Bildiri)
- Yayın Türü: Bildiri / Tam Metin Bildiri
- Basıldığı Şehir: İstanbul
- Basıldığı Ülke: Türkiye
- Sayfa Sayıları: ss.346-349
- İstanbul Üniversitesi-Cerrahpaşa Adresli: Evet