PMOS tranzistorlarda sıcak taşıyıcı kaynaklı yorulma için yeni bir yaklaşım
II. Mühendislik Bilimleri Genç Araştırmacılar Kongresi, İstanbul, Türkiye, ss.179-187, (Tam Metin Bildiri)
- Yayın Türü: Bildiri / Tam Metin Bildiri
- Basıldığı Şehir: İstanbul
- Basıldığı Ülke: Türkiye
- Sayfa Sayıları: ss.179-187
- İstanbul Üniversitesi-Cerrahpaşa Adresli: Evet