Statistical investigation of hot-carrier degradation and lifetime prediction of PMOS transistors
International Conference on Electrical and Electronics, Türkiye, ss.76-80, (Tam Metin Bildiri)
- Yayın Türü: Bildiri / Tam Metin Bildiri
- Basıldığı Ülke: Türkiye
- Sayfa Sayıları: ss.76-80
- İstanbul Üniversitesi-Cerrahpaşa Adresli: Evet