Tümleştirmeye Uygun Kapasite Çarpma Devresi Tasarımı

---

Tezin Türü: Doktora

Tezin Yürütüldüğü Kurum: İstanbul Üniversitesi-Cerrahpaşa, Mühendislik Fakültesi, Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2024

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: Mutasem Vahbeh

Asıl Danışman (Eş Danışmanlı Tezler İçin): Fırat Kaçar

Eş Danışman: Emre Özer

Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu

Özet:

Bu tezde, beş farklı kapasite çarpma devresi önerilmiştir ve aktif devre elemanı olarak Akım Geri Beslemeli İşlemsel Kuvvetlendirici (CFOA) kullanılmıştır. Güç tüketimini azaltmak amacıyla, CFOA'nın iç mimarisinde dinamik eşik gerilimi MOSFET (DTMOS) transistörleri kullanılmıştır. İlk tasarımda, bir CFOA, dört direnç ve bir topraklanmış kapasitör kullanılarak bir topraklanmış kayıpsız negatif kapasite çarpma devresi önerilmiştir. Sonraki tasarımlar ise, bir CFOA, üç veya dört direnç ve bir topraklanmış kapasitör içeren kayıplı kapasite çarpma devreleridir. Önerilen her devre için ideal ve ideal olmayan koşullar altında matematiksel analizler yapılmıştır. Simülasyon sonuçları, 0,13 µm IBM CMOS teknoloji parametreleri kullanılarak SPICE simülasyon programı ile elde edilmiştir. Proses, sıcaklık, besleme gerilimi ve çarpma katsayısındaki değişiklikler gibi çeşitli senaryolar için kayıpsız kapasite çarpma devresinin giriş empedansının genlik ve faz cevapları incelenmiştir. Kayıpsız tasarımın doğruluğunu kanıtlamak amacıyla, ticari olarak temin edilebilen AD844 entegre devresi kullanılarak deneysel çalışmalar yapılmıştır